IPD50P03P4L11ATMA1 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IPD50P03P4L11ATMA1
是否Rohsren证	符合
生命周期	Not Recommended
Objectid	1384824924
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
风险等级	7.07
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	30 V
zui大漏极电流 (ID)	50 A
zui大漏源导通电阻	0.0105 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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