MB85RS16PNF-G-JNERE1 内存集成电路

参数名称	参数值
生命周期	Transferred
Objectid	1061538810
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.71
风险等级	7.58
其他特性	2kv ESD available
zui大时钟频率 (fCLK)	20 MHz
数据保留时间-zui小值	10
耐久性	1000000000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	5.05 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	FRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
zui高工作温度	85 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
座面zui大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
zui大待机电流	0.000015 A
zui小待机电流	2.7 V
zui大压摆率	0.0024 mA
zui大供电电压 (Vsup)	3.6 V
zui小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	3.9 mm
写保护	HARDWARE

MB85RS16PNF-G-JNERE1

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）MB85RS16PNF-G-JNERE1
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MB85RS16PNF-G-JNERE1
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）MB85RS16PNF-G-JNERE1
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。

型号/规格

MB85RS16PNF-G-JNERE1

品牌/商标

Fujitsu Semiconductor

封装

SOP-8

批号

22+

包装方式

卷带编带包装