S29GL01GP12TFI010 NOR 闪存

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	8004815601
包装说明	TSOP-56
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
风险等级	5.47
zui长访问时间	120 ns
备用内存宽度	8
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G56
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	1
湿度敏感等级	3
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	56
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
zui高工作温度	85 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	1GX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HTSSOP
封装等效代码	TSSOP56,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	8/16 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
ren证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面zui大高度	1.2 mm
部门规模	128K
zui大待机电流	0.000005 A
子类别	Flash Memories
zui大压摆率	0.11 mA
zui大供电电压 (Vsup)	3.6 V
zui小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	40
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	14 mm

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