CSD23280F3 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	CSD23280F3
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8166684814
包装说明	GRID ARRAY, R-PBGA-B3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.21.00.40
Date Of Intro	2016-04-12
风险等级	1.76
Samacsys Description	MOSFET -12-V, P channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Samacsys Manufacturer	Texas Instruments
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
zui小漏源击穿电压	12 V
zui大漏极电流 (ID)	1.8 A
zui大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)	11.1 pF
JESD-30 代码	R-PBGA-B3
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	11.4 A
表面贴装	YES
端子面层	Nickel/Gold (Ni/Au)
端子形式	BUTT
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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