BSZ034N04LS 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	BSZ034N04LS
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1839515261
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.78
Samacsys Description	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2020-11-30 19:47:12
YTEOL	5.67
雪崩能效等级（Eas）	70 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	40 V
zui大漏极电流 (ID)	19 A
zui大漏源导通电阻	0.0046 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-N3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	160 A
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

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