IPW65R041CFD?/MOSFETs

地区:广东 深圳
认证:

深圳市港恒达半导体有限公司

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参数
参数名称 属性值
是否无铅 不含铅
是否Rohs 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
雪崩能效等级(Eas) 2185 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
小漏源击穿电压 650 V
大漏极电流 (Abs) (ID) 68.5 A
大漏极电流 (ID) 68.5 A
大漏源导通电阻 0.041 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
高工作温度 150 ?C
低工作温度 -55 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
大功率耗散 (Abs) 500 W
大脉冲漏极电流 (IDM) 255 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON


型号/规格

IPW65R041CFD

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装