IRFP4110PBF/Infineon(英飞凌) 晶体管 > 场效应管(MOSFET) >
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IRFP4110PBF |
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 符合
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| 生命周期 | Active |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 风险等级 | 1.23 |
| Samacsys Description | MOSFET N-Ch 100V 180A HEXFET TO247AC International Rectifier IRFP4110PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| 雪崩能效等级（Eas） | 190 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 小漏源击穿电压 | 100 V |
| 大漏极电流 (Abs) (ID) | 180 A |
| 大漏极电流 (ID) | 180 A |
| 大漏源导通电阻 | 0.0045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247AC |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 大功率耗散 (Abs) | 370 W |
| 大脉冲漏极电流 (IDM) | 670 A |
|
|
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| 子类别 | FET General Purpose Power |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
IRFP4110PBF
INFINEON（英飞凌）
TO-247AC
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
