TC58BVG0S3HTAI0 NAND FLASH

FLASH - NAND（SLC）存储器 IC 1Gb（128M x 8）并联 25 ns 48-TSOP I

TC58BVG0S3HTAI0 NAND FLASH 的技术参数：

容量(bit)	1G
Tech. node (nm)	24
Block size (bit)	(128K+4K)×8
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
接口	并联
访问时间	25ns
存储器容量	1Gb（128M x 8）
I/O (bit)	8
描述	1Gbit BENAND, 3.3V, x8, 24nm, BGA
温度规格（度）	-40 to 85
工作电压（伏）	2.7 to 3.6
封装	TSOP-48
RoHS	是

TC58BVG0S3HTAI0 NAND FLASH 的描述：

C58BVG0S3HTAI0是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。