LMBT5551LT1G贴片晶体三极管PNP

LMBT5551LT1G高压晶体管
FEATUREƽPb-Free 封装可用。
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LMBT5550LT1M1F3000/卷带
LMBT5550LT1G (无铅)M1F3000/卷带 LMBT5551LT1G13000/卷带
LMBT5551LT1G（无铅）G13000/卷带

LMBT5551LT1G尺寸图



MAXIMUM RATINGS

评级符号价值单位
集电极-发射极电压VCEO 140 Vdc
集电极-基极电压VCBO 160 Vdc
发射极-基极电压VEBO 6.0 Vdc
集电极电流 — 连续IC 600 mAdc

热特性
特征符号zui大单位
器件总耗散 FR– 5 板，
(1)PD225mWTA= 25°C
25°C 以上降额1.8mW/°C
热阻，结到环境 RθJA 556°C/W
器件总耗散PD300mWA 氧化铝基板，(2) TA= 25°C
  25°C 以上降额 2.4mW/°C
热阻，结到环境 RθJA 417°C/W
结点和存储温度 TJ,Tstg–55 至 +150°C

LMBT5551LT1电气特性（TA= 25°C，除非另有说明。）
特征符号 Min Max Unit
关闭特性
集电极-发射极击穿电压
(3)V(BR)CEOVdc(IC= 1.0 mAdc, Ia= 0)
LMBT5550 140—
LMBT5551 160—
集电极-基极击穿电压V
  (BR)CBOVdc(IC= 100μAdc, IE= 0)
LMBT5550 160—
LMBT5551 180—
发射极-基极击穿电压 V (BR)
EBOVdc(IE= 10 μAdc, I C= 0) 6.0—
集电极截止电流 ICBO( VCB= 100Vdc, IE= 0)
LMBT5550—100nAdc（VCB=120Vdc，IE=0）
LMBT5551—50（VCB=100Vdc，IE=0，TA=100℃）
LMBT5550—100μAdc(VCB= 120Vdc, IE= 0, TA=100 °C)
LMBT5551—50
发射极截止电流 IEBO—50nAdc(V BE = 4.0Vdc, I C= 0)
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 英寸。
2. 氧化铝 = 0.4 x 0.3 x 0.024 英寸 99.5% 氧化铝。
3. 脉冲测试：脉冲宽度 = 300μs，占空比 = 2.0%。

LMBT5551LT1参数

电气特性（T A = 25°C，除非另有说明）（续）
特征符号MinMaxUnit
关于特性DC
当前 GainhFE––
（IC= 1.0 mAdc，VCE= 5.0 Vdc）
LMBT5550 60—
LMBT5551 80—


（IC= 10 mAdc，VCE= 5.0 Vdc）
LMBT5550 60 250
LMBT5551 80 250


(IC= 50 mAdc, VCE= 5.0Vdc)
LMBT5550 20—
LMBT5551 30—
集电极-发射极饱和电压
VCE(sat)Vdc
（IC= 10 mAdc，IB= 1.0 mAdc）
两种类型—0.15
(IC= 50 mAdc, IB= 5.0 mAdc )
LMBT5550—0.25
LMBT5551—0.20
基极-发射极饱和电压
VBE(sat)Vdc(IC= 10 mAdc, IB= 1.0 mAdc)
两种类型—1.0（IC= 50 mAdc，IB= 5.0 mAdc）
LMBT5550—1.2
LMBT5551—1.0