CSD13201W10 MOSFET N-CH NexFET Pwr

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 9.7 ns
正向跨导 - 值: 23 S
高度: 0.62 mm
长度: 1 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.9 ns
系列: CSD13201W10
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 3.9 ns
宽度: 1 mm

单位重量: 1.100 mg

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 9.7 ns
正向跨导 - 值: 23 S
高度: 0.62 mm
长度: 1 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.9 ns
系列: CSD13201W10
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 3.9 ns
宽度: 1 mm
单位重量: 1.100 mg
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 2.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 9.7 ns
正向跨导 - 值: 23 S
高度: 0.62 mm
长度: 1 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.9 ns
系列: CSD13201W10
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 3.9 ns
宽度: 1 mm
单位重量: 1.100 mg
CSD13201W10

CSD13201W10

CSD13201W10