MMBT6427LT1G达林顿晶体管

制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS:  详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
直流电集电极电流: 0.5 A
集电极截止电流: 0.05 uA
Pd-功率耗散: 225 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT6427L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10000
直流电流增益 hFE 值: 100000
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: Darlington Transistors
3000
子类别: Transistors
宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS:  详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
直流电集电极电流: 0.5 A
集电极截止电流: 0.05 uA
Pd-功率耗散: 225 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT6427L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10000
直流电流增益 hFE 值: 100000
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: Darlington Transistors
3000
子类别: Transistors
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
MMBT6427LT1G

MMBT6427LT1G

MMBT6427LT1G

MMBT6427LT1G

制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS:  详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
直流电集电极电流: 0.5 A
集电极截止电流: 0.05 uA
Pd-功率耗散: 225 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
系列: MMBT6427L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10000
直流电流增益 hFE 值: 100000
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: Darlington Transistors
3000
子类别: Transistors
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg