CSD18503Q5AMOSFET

CSD18503Q5A

CSD18503Q5A

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 121 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 120 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - zui小值: 100 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.8 ns
系列: CSD18503Q5A
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
宽度: 4.9 mm
单位重量: 240 mg
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 121 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 120 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - zui小值: 100 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.8 ns
系列: CSD18503Q5A
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
宽度: 4.9 mm

单位重量: 240 mg

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 121 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 120 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 2.6 ns
正向跨导 - zui小值: 100 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.8 ns
系列: CSD18503Q5A
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
宽度: 4.9 mm
单位重量: 240 mg