2SK3878 MOSFET N Ch 900V

2SK3878

2SK3878

2SK3878

2SK3878

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 980 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 50 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
系列: STW11NK90Z
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 6 g

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 980 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 50 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
系列: STW11NK90Z
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 6 g

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 980 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 50 ns
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
系列: STW11NK90Z
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.15 mm
单位重量: 6 g