NVD3055-094T4G-VF01 MOSFET NFET DPAK

NVD3055-094T4G-VF01

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NVD3055-094T4G-VF01

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 23.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32.3 ns
2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.2 ns
典型接通延迟时间: 7.7 ns
单位重量: 360 mg

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 23.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32.3 ns
2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.2 ns
典型接通延迟时间: 7.7 ns
单位重量: 360 mg

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 23.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32.3 ns
2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25.2 ns
典型接通延迟时间: 7.7 ns
单位重量: 360 mg