IXFP7N100P MOSFET 7 IXYS

IXFP7N100P

IXFP7N100P

IXFP7N100P

IXFP7N100P

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: IXFP7N100
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: IXFP7N100
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: IXFP7N100
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: IXFP7N100
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g

IXFP7N100P