NSVJ3557SA3T1G晶体管原装

NSVJ3557SA3T1G晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: JFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-59-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
闸/源截止电压: - 700 mV
Vgs=0时的漏-源电流: 32 mA
Id-连续漏极电流: 50 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: JFET
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - mini值: 24 mS
max漏极/栅极电压: - 15 V
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 11.600 mg

NSVJ3557SA3T1G晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: JFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-59-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
闸/源截止电压: - 700 mV
Vgs=0时的漏-源电流: 32 mA
Id-连续漏极电流: 50 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: JFET
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - mini值: 24 mS
max漏极/栅极电压: - 15 V
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 11.600 mg

NSVJ3557SA3T1G晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: JFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-59-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
闸/源截止电压: - 700 mV
Vgs=0时的漏-源电流: 32 mA
Id-连续漏极电流: 50 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: JFET
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - mini值: 24 mS
max漏极/栅极电压: - 15 V
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 11.600 mg

NSVJ3557SA3T1G晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: JFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-59-3
晶体管极性: N-Channel
配置: Single
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
闸/源截止电压: - 700 mV
Vgs=0时的漏-源电流: 32 mA
Id-连续漏极电流: 50 mA
Pd-功率耗散: 200 mW
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: JFET
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - mini值: 24 mS
max漏极/栅极电压: - 15 V
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 11.600 mg