单个 Toshiba TK12A50D(STA4,Q,M)

单个   Toshiba   TK12A50D(STA4,Q,M)

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

TK12A50D(STA4,Q,M)

单个   Toshiba   TK12A50D(STA4,Q,M) 

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）520 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 1mA

Vgs（大值）±30V

FET 功能-

功率耗散（大值）45W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220SIS

封装/外壳TO-220-3 整包

漏源电压（Vdss）500 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）25 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1350 pF @ 25 V

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