NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
最大压摆率：0.03 mA
最大电源电压（Vsup）：3.6 V
最小电源电压（Vsup）：2.7 V
标称电源电压（Vsup）：3.3 V
NAND闪存：K9K8G08U0D-SCB0功能特征：
•电源
-3.3V器件（K9F4G08U0D）：2.7V〜3.6V
•组织
-存储单元阵列：（512M + 16M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（2K + 64）Byte
-块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（2K + 64）Byte
-随机读取：25μs（最大）
-串行访问：25ns（最小）
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：250μs（Typ。）
-块擦除时间：2ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-ECC要求：1bit / 528Byte
•命令寄存器操作
•版权保护的唯一ID
•包装：
-K9F4G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9K8G08U0D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9K8G08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素包装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1D-SCB0 / SIB0：无铅，无卤素封装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
NAND闪存：有效块：
NAND闪存：测试条件：
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