MTB30P06VT4 ON Semiconductor 单个

MTB30P06VT4  ON Semiconductor  单个

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

MTB30P06VT4

MTB30P06VT4  ON Semiconductor  单个 

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    30A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      80 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    80nC @ 10V

Vgs（大值）     ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  2190pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    3W（Ta），125W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D2PAK

封装/外壳      TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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