单个 Diodes DMN62D1LFD-7

单个  Diodes  DMN62D1LFD-7

制造商

Diodes Incorporated

制造商产品编号

DMN62D1LFD-7

单个  Diodes  DMN62D1LFD-7 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）1.8V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）2 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）500mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装X1-DFN1212-3

封装/外壳3-UDFN

漏源电压（Vdss）60 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）0.55 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）36 pF @ 25 V

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