NAND闪存：MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A

NAND闪存：MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
产品种类:NAND闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-148
长度：18.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A特征：
•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）2.2
•多级单元（MLC）技术
•组织
–页面大小x8：8640字节（8192 + 448字节）
–块大小：256页（2048K + 112K字节）
–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块
–设备大小：64Gb：4096个块；
128Gb：8192块;
256Gb：16,384块;
512Gb：32,786个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式52
–时钟频率：10ns（DDR）
–每个引脚的读取/写入吞吐量：200 MT / s
•异步I / O性能
–高达异步计时模式5
–tRC / tWC：20ns（最小）
–高达异步计时模式5
–每个引脚的读取/写入吞吐量：50 MT / s
•阵列性能
–阅读页：75μs（MAX）
–程序页面：1300μs（TYP）
–擦除块：3.8ms（TYP）
•工作电压范围
– VCC：2.7–3.6V
– VCCQ：1.7–1.95V，2.7–3.6V
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–一次性可编程（OTP）模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取唯一ID
–复制

NAND闪存：异步和同步信号定义（续）：                               

逻辑单元（LUN）的阵列寻址：

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