晶体管 - FET IRF3205PBF Infineon

晶体管 - FET IRF3205PBF Infineon

一般信息

数据列表       IRF3205;

标准包装      50

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       *IRF3205PBF

64-0085PBF

64-0085PBF-ND

SP001559536

晶体管 - FET IRF3205PBF Infineon 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    110A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      8 毫欧 @ 62A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    146nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  3247pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    200W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装    TO-220AB

封装/外壳      TO-220-3

晶体管 - FET IRF3205PBF Infineon 

公司简介：

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