图文详情
产品属性
相关推荐
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 265 A
Rds On-漏源导通电阻: 950 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 127 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
高度: 0.83 mm
长度: 6 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 120 S
下降时间: 34 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: SP001551936
提供电子元件配单服务,可支持小批量和样品,欢迎咨询!
IRFH7084TRPBF
INFINEON(英飞凌)
PQFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装