MPSY65M320B DFN8x8 高压超结MOSFET-芯长征

深圳市仕乙电电子有限公司 代理全系列产品 陈生1392318954

MPSY65M320B DFN8x8

FEATURES

BVDSS=650V, ID=12.3A

RDS(on)：0.32Ω(Max)@VGS=10V

Very Low FOM (RDS(on) X Qg)

Extremely l ow switching loss

Excellent stability and uniformity

100% Avalanche Tested

Built-in ESD Diode

APPLICATIONS

USB Type-C with power delivery power adapter

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Power Factor Correction (PFC)

TV power & LED Lighting Power

AC to DC Converters

MPSY65M320B 规格书参数A

MPSY65M320B 规格书参数B

MPSY65M320B 规格书参数C

MPSY65M320B 曲线图

芯长征科技是一家专注于新型功率半导体器件开发的高科技设计公司，重点业务包括：IGBT、Coolmos，SiC等芯片产品及技术开发。技术团队依托于中科院技术人员以及引进海外技术精英共同组成，团队成员均拥有10年以上产品开发经验，实现从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通。公司具有资深的市场销售和运营管理团队，对于该方向的技术、行业及市场非常熟悉且较好的经营能力，技术和管理团队均经历从技术开发到样品到产品到量产到完全市场化过程。

技术基于中科院技术团队加海外技术人员组成，拥有雄厚的测试及分析实验室资源以及业内人才资源；同时团队在本领域行业深耕近十年，从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通，拥有较强的产业链上下游和市场资源。

“一往无前长征路，自强不息中国芯”，芯长征将承载功率芯片国产化使命，秉持市场化运营的理念，为广大客户提供一流的产品与优质的服务！

产品 VD MOSFET / SJ MOSFET / SiC Diode / IGBT / IGBT module / IPM / FRD / PIM / 

SGT MOS / Trench MOS

拥有国内一流的功率器件全参数测试平台，涵盖IGBT、快恢复二极管、MOSFET、双极晶体管等器件，测试能力包括静态、动态、短路耐量、安全工作区、雪崩、热阻、栅电荷与电容等项目。

拥有国内先进的功率半导体器件可靠性测试与分析平台，涵盖各种耐压范围的IGBT、FRD以及功率MOSFET等器件，测试能力包括高温反偏(HTRB)、高温栅偏(HTGB)、恒温恒湿反偏(H3TRB)、温度循环(TC)、功率循环(PC)、高温存储(HTS)与静电放电敏感度(ESD)等项目。

拥有国内一流的失效分析（FA）平台，包括：微光显微镜（EMMI ）、超声波检测设备（SAM）、扫描式电子显微镜（SEM）、X射线探测器（EDX）、芯片开封机Decap、断面结构分析（Cross-section Analysis）等。