NCE6080ATO-220-3LMOSFET-新洁能

新洁能 NCE6080A TO-220-3L MOSFET

产品特色

RDS(on)= 6.5Ω(典型的)@ vg = 10 v

RDS(on)= 7.5Ω(典型的)@ vg = 4.5 v

NCE6080A采用了先进的堑壕技术
设计以提供优良的RDS(ON)与低栅电荷。它
可用于各种各样的应用。

NCE6080A Eas test circuit

NCE6080A Gate charge test circuit

NCE6080A Switch time test circuit

应用市场

电源充电器/车载充电器/DC-DC 控制器

无锡新洁能从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关关键技术，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

公司产品凭借低损耗、高可靠性品质，已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域，获得国内外公司的认可。公司利用自身技术优势，与国际的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。

公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业（中国半导体协会，2016&2017年），拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站，注重先进半导体功率器件的研发与产业化，多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表，并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入，提升产品竞争力，目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。

公司总部位于江苏无锡，设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者，致力于建立合作共赢的长期协作关系。