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产品属性
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无锡新洁能从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关技术已获得多项授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外公司的认可。公司利用自身技术优势,与国际的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。
公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业(中国半导体协会,2016&2017年),拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站,注重先进半导体功率器件的研发与产业化,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。
公司总部位于江苏无锡,设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者,致力于建立合作共赢的长期协作关系。
NCE65T680F 产品特性
●New technology for high voltage device
●Low on-resistance and low conduction losses
●Small package
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
●100% Avalanche Tested
●ROHS compliant
应用市场
● Power factor correction(PFC)
● Switched mode power supplies(SMPS)
● Uninterruptible Power Supply(UPS)
NCE65T680F TO-220F 本体印字
NCE65T680F TO-220F 脚位
NCE65T680F TO-220F 应用市场 消费电子、电动交通工具、移动终端、电源管理、工业应用、LED 照明。
NCE65T680F
新洁能
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
N-ch Super Junction
650V
Typ 600mΩ
7A
101mJ
3~4V
435pF
11nC
NCE6080A TO-220-3L MOSFET-新洁能
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