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K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片主图
K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片参数
制造商IC编号K4T1G164QG-BCE7
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码64MX16 DDR2
脚位/封装FBGA
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0°C to +85°C
速度800 MHZ
标准包装数量
标准外箱
潜在应用MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICV8/ CAMCORDER/ DIGITAL CAMARA/攝像機/數碼相機
K4T1G164QG-BCE7mp3闪存芯片相关信息
压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件,可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进行保护,防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流(如雷击等)而造成对它们的损坏。使用时只需将压敏电阻器并接于被保护的IC或设备电路上,当电压瞬间高于某一数值时,压敏电阻器阻值迅速下降,导通大电流,从而保护IC或电器设备;当电压低于压敏电阻器工作电压值时,压敏电阻器阻值极高,近乎开路,因而不会影响器件或电器设备的正常工作。
MYE表示高负荷型压敏电阻,也有厂家用MYT表示通用型,MYL表示防雷型。
选用方法(一般情况):
1、压敏电压值应大于实际电路的电压峰值,一般为:U1mA =K1×/K2×K3× UCU1mA ---- 压敏电压UC ---- 电路直流工作电压(交流时为有效值)K1 ---- 电源电压波动系数,一般取1.2K2 ---- 压敏电压误差,一般取0.85K3 ---- 老化系数,一般取0.9交流状态下,应将有效值变为峰值,即扩大√2倍,实际应用中可参考此公式通过实验来确定压敏电压值。
2、通流量实际应用中,压敏电阻器所吸收的浪涌电流应小于压敏电阻的最大峰值电流,以延长产品的使用寿命。压敏电阻的检测。用指针式万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻,均为无穷大,否则,说明漏电流大。若所测电阻很小,说明压敏电阻已损坏,不能使用。
K4T1G164QG-BCE7
SAMSUNG
BGA
17+
800mhz