K4T1G164QE-HIE6闪存存储阵列

K4T1G164QE-HIE6闪存存储阵列主图

K4T1G164QE-HIE6闪存存储阵列参数

K4T1G164QE-HIE6闪存存储阵列

制造商IC编号K4T1G164QE-HIE6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装fbga

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C + 85°C

的速度ddr2 - 667 - 333 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

模块制造商/模组內存厂商

OEM / ODM /交钥匙/购买IC /组装代工廠/購買IC

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行8银行

第六代

电源正常电源

K4T1G164QE-HIE6闪存存储阵列相关信息

对于压敏电阻起火燃烧的失效现象，大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。

①老化失效，这是指电阻体的低阻线性化逐步加剧，漏电流恶性增加且集中流入薄弱点，薄弱点材料融化，形1k左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。这种事故通常可以通过一个与压敏电阻串联的热熔接点来避免。热熔接点应与电阻体有良好的热耦合，当最大冲击电流流过时不会断开，但当温度超过电阻体上限工作温度时即断开。研究结果表明， 若压敏电阻存在着制造缺陷，易发生早期失效， 强度不大的电冲击的多次作用，也会加速老化过程，使老化失效提早出现。

②暂态过电压破坏，这是指较强的暂态过电压使电阻体穿孔，导致更大的电流而高热起火。整个过程在较短时间内发生，以至电阻体上设置的热熔接点来不及熔断。在三相电源保护中，N-PE线之间的压敏电阻器烧坏起火的事故概率较高，多数是属于这一种情况。相应的对策集中在压敏电阻损坏后不起火。一些压敏电阻的应用技术资料中，推荐与压敏电阻串联电流熔丝（保险丝）进行保护。

压敏电阻是在一定电流电压范围内电阻值随电压而变，也可以说是电阻值对电压敏感的阻器。压敏电阻是按用途来命名，称为突波吸引器，或电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）。