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K4T1G084QF-BCF8ddr4台式机内存主图
K4T1G084QF-BCF8ddr4台式机内存参数
制造商IC编号K4T1G084QF-BCF8
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码128MX8 DDR2
脚位/封装fbga
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0°C + 85°C
速度ddr3 - 1066 (533 mhz @ CL = 7, tRCD = 7, tRP = 7)
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
应用程序/领导领导應用
单词量128m
一些组织的混合体
密度1g
内部银行8银行
第七代
电源正常电源
K4T1G084QF-BCF8ddr4台式机内存相关信息
一般变频器说明书的后面都配有制动电阻的选型,你也可以查表得到。当然也可以计算,不过相对复杂,制动电阻不可太大,如果太大就不能有效的制动,原因为p=u^2/r,制动电阻也不可太小,如果太小电流就会很大,会烧毁制动晶体管,下边提供一种计算方法供参考。
A、首先估算出制动转矩 一般情况下,在进行电机制动时,电机内部存在一定的损耗,约为额定转矩的18%-22%左右,因此计算出的结果在小于此范围的话就无需接制动装置;
B、接着计算制动电阻的阻值 在制动单元工作过程中,直流母线的电压的升降取决于常数RC,R即为制动电阻的阻值,C为变频器内部电解电容的容量。这里制动 单元动作电压值一般为710V。
C、然后进行制动单元的选择 在进行制动单元的选择时,制动单元的工作最大电流是选择的唯一依据,其计算公式如下:
D、最后计算制动电阻的标称功率 由于制动电阻为短时工作制,因此根据电阻的特性和技术指标,我们知道电阻的标称功率将小于通电时的消耗功率,一般可用下式求得: 制动电阻标称功率 = 制动电阻降额系数 X 制动期间平均消耗功率 X 制动使用率% 2.6 制动特点 能耗制动(电阻制动)的优点是构造简单,缺点是运行效率降低,特别是在频繁制动时将要消耗大量的能量,且制动电阻的容量将增大。
K4T1G084QF-BCF8
SAMSUNG
BGA
17+
800mhz