K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格

K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格主图

K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格参数

制造商IC编号K4W1G1646E-HC12

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别GDDR3 SDRAM

IC代码64MX16 GDDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度标准

包装数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用SATELLITE SYSTEM / SET-TOP-BOX/卫星系统/机頂盒

K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格相关信息

一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况最坏时，也不应高于额定值中选择的最大连续工作电压，该最大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中：

a为电路电压波动系数;v为电路直流工作电压（交流时为有效值）;b为压敏电压误差;c为元件的老化系数，;这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1.414倍。

（1）必须保证在电压波动最大时，连续工作电压也不会超过最大允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命;（2）在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。

压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的最大通流量。mov压敏电阻目前来说，mov压敏电阻在生活中的运用还是相对比较广泛的.