K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片

K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片主图

K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片参数

制造商IC编号K9F1208U0B-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片相关信息

陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！

在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

按电压：超高压、高压、低压、交流超高压：≥10KVdc者；高压： ≥500Vdc，＜10KVdc者；低压： ≥16Vdc，＜500KVdc者；交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。

按温度特性可以分为三类：1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等；2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。

实际上目前Y5V为主。是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。