K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片

地区:广东 深圳
认证:

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K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片主图

K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片参数

制造商IC编号K9F1208U0B-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1208U0B-PIB0手机用存储芯片相关信息

陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式!按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容,通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容,X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容, I类瓷介电容容量稳定性很好,基本不随温度,电压,时间等变化而变化,但是一般容量都很小,而II类瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合,如滤波等!

在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步,高压陶瓷电容器的发展有长足的进展,并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

按电压:超高压、高压、低压、交流超高压:≥10KVdc者;高压: ≥500Vdc,<10KVdc者;低压: ≥16Vdc,<500KVdc者;交流:特指250Vac与400Vac。即Y电容。

按温度特性可以分为三类:1类:高频瓷介电容器,有NP0、SL等;2类:高介电常数电容器,有Y5P、Y5U、Y5V等。3类:半导体型陶瓷电容器,原则上有Y5P、Y5U、Y5V。

实际上目前Y5V为主。是指电容器在规定的温度范围内,相对于常温时电容器电容量的变化率。

型号/规格

K9F1208U0B-PIB0

品牌/商标

SAMSUNG

封装

BGA

批号

17+

速度

800mhz