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K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片主图
K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片参数
制造商IC编号K9HCGZ8U1M-SCK0
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别FLASH-NAND
IC代码8GX8 NAND MLC
脚位/封装TSOP
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)2.7V-3.6V
温度规格0°C to +85°C
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
K9HCGZ8U1M-SCK0mp3闪存芯片相关信息
意外不断,噩梦再临
今年上半年,内存价格大幅滑落。按以往惯例,内存厂家又开始秀操作。6 月 15 日,日本四日市工厂的意外停电,影响西部数据和东芝存储器公司 NAND 闪存制造厂的生产运营,预计此事件将导致 NAND 闪存晶圆供应量减少六百万 TB 。
与此同时,三星也在酝酿减产。不过令所有人没想到的是,在三星正式减产之前,一件预料之外的事情发生了。7 月初,由于政治纠纷,日本政府开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料。
日本政府制裁对三星 NAND 闪存生产造生了巨大影响,目前已缩减 NAND Flash 投片,减产幅度逾二成。内存业者分析,三星占全球 NAND 市场 30% 份额,此次缩减逾二成产出,等于全球将减少 6% 到 8% 供应量,加上东芝 NAND 工厂上月受意外停电影响,产能影响 3% 供应量,合计本月起,全球 NAND 产出将减少近一成。于是,内存涨价便顺理成章。
7 月初以来,DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 颗粒现货价格一直在涨。内存业者透露,此次日韩贸易战,将造成强大的 NAND 抢货潮,带动价格进一步反弹。若日韩贸易谈判再僵持,下个季度 DRAM 合约价也将止跌反弹,出现 NAND 与 DRAM 两大内存“双涨”效应。一时间, DIY 装机者的最大噩梦再度降临。
K9HCGZ8U1M-SCK0
SAMSUNG
BGA
17+
800mhz