K9NCG08U5M-PCBO可擦除芯片闪存

K9NCG08U5M-PCBO可擦除芯片闪存主图

K9NCG08U5M-PCBO可擦除芯片闪存参数

制造商IC编号K9NCG08U5M-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9NCG08U5M-PCBO可擦除芯片闪存相关信息

通常来说，一般的传统存储IOPS和磁盘数量相关，一般的SAS盘，可达到100-150个IOPS/盘，前提是前端和后端不会成为性能瓶颈，此时可以粗略认为更多的磁盘带来更多的IO，但是往往有些客户的需求中，数据存储并不需要更大的容量，所以这时为了达到IOPS要求就不可避免的多配置了一些硬盘，造成了空间的浪费。另外，传统阵列由于硬件和软件的设计原因，响应延迟一般在5ms以内，难以进入1ms的响应延迟范围，但是全闪存储可以比较轻松的达到1ms以内的响应延迟，存储系统的响应延迟会带给业务系统更高的响应延迟，这对于核心高频交易系统来说是非常重要的性能指标，直接关乎客户的生产体验。

04用了全闪，业务稳定性怎么保证？针对全闪存储，实现整个存储系统的稳定性、数据可靠性的保障，需要从三个方面进行考虑，分别是存储器件可靠性、存储产品可靠性、存储方案可靠性三部分。

首先存储器件可靠性。整个存储系统中，SSD介质是需要首先考虑的，在浪潮全闪存储中，针对SSD介质的可靠性提升进行了一系列算法的开发优化，大家都知道SSD介质由于实现原理导致除了首次写入数据，其他每次写入新的数据块都要进行数据擦写，以数据库为例，写入一个8k的数据块，需要擦写512K的数据页，这样的情况下就会造成写入放大64倍，对于浪潮全闪存储来说，在软件栈算法层面会在缓存中进行零散数据块合并，合并到大于512K的整条带对齐下刷，这样减少了对于SSD的擦写次数，延长了SSD的寿命，提高系统的稳定性。

但是仅此是不够的，浪潮全闪还针对SSD芯片进行了算法的重新设计，这其中包含一些关键提升SSD介质稳定性的算法，如全局磨损均衡算法，又分为动态磨损均衡和静态磨损均衡算法，SSD介质的元数据保护算法，对SSD的日志快照保护、掉电恢复算法，SSD内部RAID算法，数据块定期巡检，坏块管理算法，NAND介质纠错算法等等。