MT48LC32M16A2P-75IT记忆存储芯片库存

MT48LC32M16A2P-75IT记忆存储芯片库存主图

MT48LC32M16A2P-75IT记忆存储芯片库存参数

制造商IC编号MT48LC32M16A2P-75:IT

厂牌MICRON/美光

IC 类别SDRAM

IC代码32MX16 SD

脚位/封装TSOP2

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT48LC32M16A2P-75IT记忆存储芯片库存相关信息

导读：FRAM铁电存储器被认为是未来存储器发展方向之一，采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

FRAM铁电存储器被认为是未来存储器发展方向之一，下面我们来看一下什么是铁电存储以及技术原理。

什么是铁电存储

FRAM（铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM），也称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

FRAM与工业标准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；读写次数超过1万亿次（5V）、无限次（3.3V），写速度快，没有写等待，按字节操作；操作更省电，写入功耗仅为EEPROM的1/20。

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。

RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存

储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废

止）、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器综合了两种技术的特点--一种非易失性的RAM。