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MT47H128M16RT-25E:C储存芯片报价主图
MT47H128M16RT-25E:C储存芯片报价参数
制造商IC编号MT47H128M16RT-25E:C
厂牌MICRON/美光
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码128MX16 DDR2
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0°C to +85°C
速度
标准包装数量1260
标准外箱
潜在应用MODULE MAKER/模组內存厂商OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICPC BOARD MANU./PCB板製造商
MT47H128M16RT-25E:C储存芯片报价相关信息
终于可以看到实物了。
2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据介绍,这是旗下长江存储第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片,每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。
当前,以互联网、大数据、人工智能等为代表的现代信息技术日新月异,新一轮科技革命和产业变革蓬勃推进,智能产业快速发展,而此也预示着数据的大爆发,对高速、大容量等数据存储也提出了更高的要求。
作为国产3D NAND芯片的代表企业,长江存储研发的Xtacking技术,已导入到64层3D NAND中,并计划年内正式量产,2020年逐步提升产能,据业界传言,2020年底产能可望提升至月产6万片晶圆的规模。
紫光集团还展示了长江存储第二代64层256Gb 3D NAND,基于创新的Xtacking技术,广泛用于移动设备、服务器等领域。紫光致力于将国产3D NAND国产化,已应用到了SSD、U盘等产品中。
紫光得瑞第一款企业级PCIe NVMe SSD主控芯片,搭配紫光存储3D TLC NAND,广泛应用于数据中心。
TAI控制器及SSD
由紫光旗下长江存储耗资10亿美元、1800人团队,历时2年研发成功的国内第一颗3D NAND芯片,已用于紫光国微安全U盘。
32层3D NAND及安全U盘
存储/控制器芯片
MT47H128M16RT-25E:C
MICRON
FBGA60
17+
800mhz