H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销

H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销主图

H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销参数

制造商IC编号H5TC4G63AFR-PBC

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码256MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

H5TC4G63AFR-PBC海力士ddr3内存厂家直销相关信息

MAXQ处理器的闪存MAXQ处理器中使用的闪存单元被擦除时会变成“1”状态。因此，在擦除后，存储单元中的每个位置都将包含0xFFFF。对某一存储位置进行编程会把某些位从“1”变成“0”状态。为了使被编程过的位重新变回“1”状态，整个单元必须被擦除。

任何电擦除的存储器件必须面临的问题是持久性。根据特定的技术，一个闪存单元在完全失效之前，可以忍耐的擦除次数少达1,000次，多达1,000,000次。因此，使用闪存做数据存储的任何应用都必须保证写操作循环在整个阵列中均匀分布，不允许某一个位置的擦除编程次数比其他位置多很多。

多数闪存器件都允许把之前已经编程过的位置中的没有编程过的位从“1”变成“0”状态。例如，对于多数器件，允许对某个位置编程，把数据从0xFFFE变为0x7FFE，在这个编程过程中，没有任一个位从“0”变成“1”。然而，MAXQ系列器件中使用的闪存，不允许对已经编程过的位置再编程，即使没有发生从“0”到“1”的变化。这样的写操作会失败，保持数据在0xFFFE状态。

MAXQ器件编程受限制的理由如下。正在被编程的存储单元起初是作为代码空间的，所以必须很谨慎，禁止对已写过的位置的任何写操作。0xFFFF指令指一条无效的源代码，它不太可能出现在有效的代码单元内。因此，阻止对已编程过的位置的写操作能够帮助保持代码单元的完整性。