K9WBG08U1M-PCK0量大从优，欢迎询价

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K9WBG08U1M-PCK0量大从优，欢迎询价参数

制造商IC编号K9WBG08U1M-PCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9WBG08U1M-PCK0量大从优，欢迎询价相关信息

在综合验光仪的验光过程中，用户会根据不同的测试需求和习惯设置一些系统配置参数，这些参数需要保存起来;更为重要的是，患者测得的双眼屈光数据也需要长时间地保存起来，以备下次更换眼镜时作为配镜参考和数据比较。这样，就面临一个系统掉电后数据保存的问题。

传统半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器两类：非易失性存储器包括EPROM、EEPROM和Flash等，在断电后仍能保存数据，但由于采用 ROM技术，所以存在写入时间长、写入次数有限、写入时功耗较高等缺点;而易失性存储器虽然性能高、写入次数不受限制、易用，但在掉电的情况下数据无法保存。对于大量数据的掉电存储，大多采用SRAM加后备电池的方法实现，在实际使用过程中存在着数据不可靠、数据容易丢失以及需要维护电池等一系列的问题，大大增加了产品维护的工作并降低了数据存储的可靠性。铁电存储器FRAM的出现为以上问题的解决提供了一个很好的方案。

铁电存储器(FRAM)是美国Ramtron公司推出的一款掉电数据不丢失的存储器，它结合了高性能和低功耗操作，能在没有电源的情况下保存数据。 FRAM不仅克服了EEPROM和Flash写入时间长、写入次数有限的缺点，又避免了增加备用电池，做到了快速、可靠的数据掉电保存。FRAM铁电存储器因其掉电不丢失、读写速度快、无限次读写、可靠性高等优点，逐步成为一种主流存储器，广泛应用在仪器仪表、工业控制、数字家电和通信产品等方面。