H5TQ1G63DFR-PBC闪存存储阵列大量供应

H5TQ1G63DFR-PBC闪存存储阵列大量供应主图

H5TQ1G63DFR-PBC闪存存储阵列大量供应参数

制造商IC编号H5TQ1G63DFR-PBC

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码64MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MHZ

标准包装数量1600

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用

H5TQ1G63DFR-PBC闪存存储阵列大量供应相关信息

存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇，近日，根据最新消息显示，美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。

根据知情人士透露，美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中，继续沿用CMOS阵列，新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小。

美光集团CEO对此表示，目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片，这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险，并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上，先期会被应用到特定的产品线。

市场地位在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。市场前景海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。