K9WBG08U1M-PCKO原厂原装

K9WBG08U1M-PCKO原厂原装主图

K9WBG08U1M-PCKO原厂原装参数

制造商IC编号K9WBG08U1M-PCKO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9WBG08U1M-PCKO原厂原装相关信息

1 FM1808铁电存储器简介FM1808是由Ramtron公司推出的一款存储容量为32K×8位的并行接口FRAM。其主要特点有：采用64K×8位的存储结构;低电压，使用2.7～3.6 V电源供电;无限次读写;掉电数据保存1O年;读写速度快，内存访问速度可达70 ns;先进的高可靠性铁电存储方式;低功耗，小于20μA的静态工作电流，读写操作的功耗相同。

2 FM1808存储器读写操作FM1808通过并行口与外部处理器进行接口，其操作虽然与SRAM十分类似，但在使用过程中应注意它们之间的细微差异。FM1808时序和普通SRAM时序的比较如图1所示。

图1 FM1808时序和普通SRAM时序的比较由FM1808的时序波形和主要特性可知，在使用FM1808时需要注意以下几个方面：

①并口FM1808内含地址锁存器，在芯片使能端()的下降沿锁存每个地址，这样就允许在每一次内存存取周期开始之后改变地址总线。每次内存存取都需要在下降沿锁存地址，都必须确保产生一次由高向低的跃变，所以用户不能像SRAM一样将引脚接地。利用来控制地址的理由有两个方面，一是锁存新的地址，另一个是利用为高时产生必需的预充电时间。

②SRAM地址锁存后，不会因为改变地址值而影响SRAM的内存操作。与SRAM不同，FM1808的地址在锁存后仍可能会随着地址的变化而发生变化。当地址被锁存后，地址值必须满足保持时间参数后才能改变。

③另外一个设计注意事项与VDD有关。电池后备SRAM会不停地监测VDD以便必要时切换至后备方式，在一个低电压水平下，它们会封锁用户对内存的访问以降低活动SRAM对电池电源的消耗;而FRAM存储器不需要这些系统开销，在任何电源水平下，内存都不会锁住用户对内存的存取。然而，在电源超出正常工作范围之外时，用户必须阻止处理器对内存的存取。当电源下跌时，通常的设计惯例是使处理器复位，除此之外没有其他的特殊要求。