K9WAG08U1E-SCBO量大从优，欢迎来电询价

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K9WAG08U1E-SCBO量大从优，欢迎来电询价参数

制造商IC编号K9WAG08U1E-SCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

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硬件数据保护：AT29C040硬件防止误编程通过以下途径：如果电源电压低于3.8 V，禁止编程;电源电压上电到达3.8 V以上后，芯片自动延时5 ms后才开始编程;OE为低或CE为高或WE为高禁止编程周期;如果WE或CE是小于15 ns的脉冲则不会启动编程周期。

1.3 接口电路设计通过上述分析，设计大容量存储器的接口电路如图2所示。

该接口电路图为实际工程应用中的剪切图，其中单片机采用的是华邦W78E516B，由于8位单片机I/O口数量有限，在工程应用中一般不能满足要求(图中没连线的I/O口已被用作其他用途)，因此采用74LS138进行了扩展。由于29C040为4 Mb的容量，所以单片机的16位数据线已不能满足要求，为了进行大容量存储器的扩展，采用8255来扩展存储器的地址线及访问的范围00000～7FFFF。在此基础上，可以设计存储容量从4 Mb到数Gb的存储器。2 软件设计为了增加数据存储的安全性，在读/写数据之前，要经过一定的指令才能进行读/写，其保护指令如图3、图4所示。如下程序是把存储器中的数据删除和对存储器进行写入数据的程序段。该部分程序已通过调试，是产品中程序的一部分。3 结语AT29C040具备在掉电情况下保存数据的功能，在实际应用中工作可靠，适合于便携式流动性环境下的数据采集系统，特别是在应用中对数据存储有要求且存储容量较大的场合更有其发挥的地方。本文中所述部分即为实际产品中的应用。