K9HCG08U1D-PIBO存储器芯片报价

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K9HCG08U1D-PIBO存储器芯片报价参数

制造商IC编号K9HCG08U1D-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8gx8 nand mlc

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9HCG08U1D-PIBO存储器芯片报价相关信息

另一家竞争对手 SK 海力士也表示，为应对 2019 年 NAND 及 DRAM 价格下跌的趋势，该公司决定自 2018 年底前开始减少投资规模，并将监控调整 2019 年的产能。

事实上，经过两年多的涨价潮，存储器的风光不再。

自去年初开始，NAND 闪存价格已出现疲软，行业预计这一趋势将持续到 2019 年。而 DRAM 内存价格也在去年三季度由涨转跌，平均价格跌幅达 10-15%。

国产存储厂商投产或遇挫折

目前，三星电子、SK 海力士、美光公司等在 DRAM 产业的市占率达到 90%以上，在过去两年存储器价格暴涨中，获得了丰厚的利润。

在国外厂商赚得盆满钵满的背景下，中国存储芯片产业也加速布局，努力实现国产替代。

目前，中国存储领域已形成包括发展 NAND Flash 的长江存储，专注移动式内存的合肥长鑫以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。

此时，存储芯片需求低迷、价格下跌，可能会成为中国存储芯片事业发展的“拦路虎”。

国金证券在去年 12 月 20 日的研报中指出，此下行趋势将对即将量产的中国主流存储芯片大厂长江存储、合肥长鑫的短期获利前景雪上加霜。

不过该券商也指出，预估此次存储器芯片产业下行趋势持续时间不超过 12 个月（从 2019 年一月起算），相关厂商不至于步入亏损。

而早在去年 9 月，国金证券便分析了存储器芯片下行趋势。

当时，该券商认为，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上 3D NAND 转到 96 层及 DRAM 转到 19 纳米以下制程工艺的产能增加，预估 2019 年内存 DRAM 和闪存 NAND 将会有 3-5%的供过于求。

“价格下行趋势确立，而将造成 2019 年整体存储器芯片产业同比衰退 5-9%及全球半导体产业同比衰退 1-4%。”