K9G8G08U0M-PCB0 可擦除芯片闪存

K9G8G08U0M-PCB0 可擦除芯片闪存主图

K9G8G08U0M-PCB0 可擦除芯片闪存参数

制造商IC编号K9G8G08U0M-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9G8G08U0M-PCB0 可擦除芯片闪存相关信息

日本 VLSI 攻关项目的官产学一体模式    为期四年的 VLSI 攻关项目成绩斐然，来自不同公司的团队一方面互通有无，一方面互相竞争，共取得专利 1210 项，商业机密 347 件。

从此，日本在 DRAM 的成本和可靠性上反超美国，70 年代末美国 DRAM 的良率在 50％左右，而日本能做到当时惊人的 80％，构成了压倒性的总体成本优势。 于是，日本存储企业趁胜追击挑起价格战，DRAM 芯片从 1981 年的 50 美元降到 1982 年的 5 美元一片，美国厂商招架不住节节败退，在鼎盛的 80 年代末 90 年代初，日本 DRAM 凭借全球 65％以上的市场份额，一举超越美国，将英特尔逼退 DRAM 市场。 日美两国的竞争，标志着 1960 年代存储器的田园时代已然结束。

存储器市场的迅速增长，快速增高了对技术、资金、市场三大要素的要求。 这样的竞争环境让韩国人明白，这场比赛的下半场单靠一个企业的力量已经难以生存，后发追赶者势必要通过企业和政府的通力合作才能成功。 最初，韩国的半导体行业底子薄弱，仅仅凭借低廉的劳动力成本和土地成本吸引外资建厂形成了产业雏形，但缺少技术、劳动密集的低端发展模式很快成为了产业发展的致命伤。 韩国很聪明地借鉴了日本的模式，抓住一切力量发展核心技术。

韩国政府在 1973 年宣布了“重工业促进计划”，并于 1975 年公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化。韩国电子通信研究所牵头，韩国政府大量出资，联合三星、LG、现代三大集团以及韩国六所大学，攻克了 DRAM 的技术难关。 破釜沉舟的勇气，帮韩国人把握住了一次难得的历史机遇：1987 年，日美半导体争端造成 DRAM 减产。韩国存储器企业一把抓住机会，顺势填补市场缺口。 在这一点上，对于如今的存储器需求正旺的中国是最具有借鉴意义的。