MT41K128M16JT-125:K手机存储芯片价格

MT41K128M16JT-125:K手机存储芯片价格主图

MT41K128M16JT-125:K手机存储芯片价格参数

制造商IC编号MT41K128M16JT-125:K

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码128MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MT/s

标准包装数量2000

标准外箱

潜在应用INDUSTRIAL ELECTRONICS/工業電子LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT41K128M16JT-125:K手机存储芯片价格相关信息

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新调查，第四季 DRAM 均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约 5%。10 月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于 2020 年 DRAM 价格的止稳反弹。

针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国 DRAM 厂 2020 年增加投片等，集邦咨询认为，三星明年上半年暂无增加投片的打算，目前的资本支出规划仅为购入新机台，用于转进 1Znm 制程。而 SK 海力士近期重申将减少明年度的资本支出，代表明年的供给位元年成长将较今年趋缓；美光半导体虽未正式宣布明年的资本支出规划，但预估也会较今年保守。

在中国 DRAM 产业发展上，虽然合肥长鑫已宣布将于年底正式导入量产，但初期产能规划仍非常保守，预估真正放量最快也要到明年年末，且中国 DRAM 产业整体良率提升需要一段时间的学习曲线，对于 2020 年整体 DRAM 产业的位元供给成长贡献有限。

近期现货市场动能偏弱，价格跌破今年新低点相较于合约市场，现货市场的动能显得疲弱许多。由于现在现货市场的交易量已经大幅萎缩，因此价格容易因市场面消息出现剧烈震荡，例如七月中受到日韩贸易战事件影响所造成的连日飙涨。然而，在日本核准并且开放化学原物料进口至韩国后，DRAM 供货疑虑消失，现货价格便呈现每日小跌的态势，在十月下旬已经跌破七月飙涨前的新低点。集邦咨询认为，目前的现货价格走势都还在预期范围内，只要合约价格走势平稳，需求端也未见重大下修，短期现货价格偏弱的走势并不会对后续整体市况造成影响。