K9F5608UOB-YCBO可擦除芯片闪存

K9F5608UOB-YCBO可擦除芯片闪存主图

K9F5608UOB-YCBO可擦除芯片闪存参数

制造商IC编号K9F5608UOB-YCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F5608UOB-YCBO可擦除芯片闪存相关信息

金属膜电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，控制等方面。

金属膜电容适用于高频电路，就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在金属膜片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消掉了空气间隙，温度系数大为下降，金属膜电容稳定性也比箔片式高。具体频率特性好，Q值高的特点。被广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器金属膜电容器。

金属膜电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。具有体积小、灵敏度高、耗电省、可靠性好，造价低廉的特点和良好的频率特性，因此它广泛应用于各种电器产品的发声用途。常见的用于音乐贺卡、电子手表、袖珍计算器、电子门铃和电子玩具等小型电子用品上作发声器件。

金属薄膜电容器是在纸上直接蒸发一层金属薄膜作为电极，也叫金属化纸介电容器，电极是被蒸发上去的金属膜比铝箔薄得多，这种电容器的特点是具有自愈作用。如果电压过高，使电容器内部介质某一点被击穿，则短路电流会使介质损坏处的金属膜蒸发掉，从而避免两个极片间短路，使电容器继续工作。当然击穿的范围也不能太大，否则影响电容器的电容量。金属膜纸介电容器通常采用环氧树脂封装，所以防潮性能很好。