K4B1G1646G-HCH91600ddr3l笔记本内存

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K4B1G1646G-HCH91600ddr3l笔记本内存主图

K4B1G1646G-HCH91600ddr3l笔记本内存参数

制造商IC编号K4B1G1646G-HCH9

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码64MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1333

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4B1G1646G-HCH91600ddr3l笔记本内存相关信息

供电系统中电力电容器的作用  电力电容器主要用来提高功率因数,减少线路损耗,改善系统电压质量,增加输变电设备的输电能力。

在供电系统中,有很多设备和仪表都有线圈和电感,我们知道电感电压要超前电流90度,它不做有用功,只做无用功,但它消耗电能,给线路增加负担。而电容电压要滞后电流90度,所以我们在供电线路上接入电容器补偿由于电感产生的无功功率,以减少线路的损耗。

电力电容器的用途  具体用途有:

1.主要用于并联高低压电力系统提高电力系统的无功功率因素;

2. 用于并联连接于工频50HZ交流断路器断口上,可使断口器的电场分布均匀;

3. 用于50HZ工频高压及超高压输电线路的耦合,应用在载波通讯系统;

5. 用于交流50HZ滤波装置的调谐支路中,为谐波电流提供低抗通道,以滤除系统中的高次谐波电流,当然这是特殊类型的的高压电容器;

4. 用于高压电容式互感器中的作电容分压器或用于过电压保护和其它类似的电容器;

6. 脉冲型的脉冲电容器用于冲击电压发生器和冲击电流发生器及振荡回路等高压试验装置,此外还可用于电磁成型、液电成型、液电破碎,储能焊接,海底探矿以及生产高温等离子超强冲击磁场,强冲击光源、激光等装置中等。

型号/规格

K4B1G1646G-HCH9

品牌/商标

SAMSUNG

封装

BGA

批号

17+

速度

800mhz