NT5TU32M16CG-25Cram芯片全新现货

NT5TU32M16CG-25Cram芯片全新现货主图

NT5TU32M16CG-25Cram芯片全新现货参数

制造商IC编号NT5TU32M16CG-25C

厂牌NANYA/南亞

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

NT5TU32M16CG-25Cram芯片全新现货相关信息

另一方面，HBM的创建主要是为了弥补片上系统（SoC）高带宽需求和主存储器的最大带宽供应能力之间的带宽差距。例如，在AI应用中，每个SoC的带宽需求（尤其是在培训应用中）可能会超过几个TB / s，这是常规主存储器无法满足的。具有3200Mbps DDR4 DIMM的单个主内存通道只能提供25.6GB / s的带宽。即使是具有8个内存通道的最先进的CPU平台也只能提供204.8GB / s的速度。另一方面，围绕单个SoC的4个HBM2堆栈可提供> 1TB / s的带宽，能够弥补它们的带宽差距。根据不同的应用程序，HBM既可以单独用作缓存，也可以用作两层内存中的第一层。

HBM是一种封装内存储器，它通过同一封装内的硅中介层与SoC集成在一起。这使它能够克服数据I / O封装管脚限制的最大数量，而传统的片外封装则存在这种局限性。已在实际产品中部署的HBM2由4或8高堆栈的8Gb裸片和1024个数据引脚组成，每个引脚以1.6〜2.4Gbps的速度运行。每个HBM堆栈的密度为4或8GB，带宽为204〜307GB / s。

SK海力士一直致力于在HBM和高密度3D-TSV DRAM产品方面保持行业领先地位。最近，SK hynix宣布成功开发了HBM2E器件，这是HBM2的扩展版本，其密度高达16GB，每个堆栈的带宽为460GB / s。通过将DRAM裸片密度增加到16Gb，并在1.2V电源电压下，在1024个数据IO上实现每引脚速度3.6Gbps的速度，使之成为可能。SK海力士也正在扩大128〜256GB 3D-TSV DIMM的阵容，以满足其客户对更高密度DIMM的需求。

TSV技术现在已经达到一定程度的成熟，能够构建具有数千个TSV的最新产品，例如HBM2E。然而，将来，在保持高组装良率的同时，减小TSV间距/直径/纵横比和管芯厚度将变得更具挑战性，并且对于持续的未来器件性能和容量缩放至关重要。这样的改进将允许减少TSV负载，减少TSV相对管芯尺寸部分以及将堆叠数量扩展到12Highs以上，同时仍保持相同的总物理堆叠高度。通过不断创新TSV产品和技术，SK海力士将继续致力于将自己定位在存储技术领导地位的最前沿。