H5TQ1G63EFR-H9C内存ddr4报价

功能数量1

端子数量96

最大工作温度85 Cel

最小工作温度0.0 Cel

最大供电/工作电压1.58 V

最小供电/工作电压1.42 V

额定供电电压1.5 V

加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

状态EOL/LIFEBUY

工艺CMOS

包装形状RECTANGULAR

包装尺寸GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

表面贴装Yes

端子形式BALL

端子间距0.8000 mm

端子位置BOTTOM

包装材料PLASTIC/EPOXY

温度等级OTHER

内存宽度16

组织64M X 16

存储密度1.07E9 deg

操作模式SYNCHRONOUS

位数6.71E7 words

位数64M

存取方式MULTI BANK PAGE BURST

内存IC

类型DDR DRAM

端口数1