K9LBG08UOM-PCBO存储芯片经销商

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K9LBG08UOM-PCBO存储芯片经销商参数

制造商IC编号K9LBG08UOM-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9LBG08UOM-PCBO存储芯片经销商相关信息

之前SD协会公布的SD速度等级Class 2、Class 4、Class 6、Class 10、UHS-I、UHS-II、V60、V90等，都是针对顺序速度而定义，并没有对随机读写IOPS作出规定。

为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡，SD协会公布新的体系标准，A1分类（APP Performance A1）基于Secure Digital 5.1规格定义，A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明，是为了确保用户在使用Micro SD卡运行App时，具备足够优秀效能表现。

其中A1分类认证的SD卡能够实现10MB/s的持续读写速度，或者保证随机读取效能达1500 IOPS，随机写入效能达500 IOPS；A2标识需要存储卡达到随机读取速度为4000IOPS，写入速度为2000IOPS。符合该标准就能够很好的支持Android的Adoptable Storage功能，可以流畅的运行应用程序，即可以将microSD卡转换为手机内部空间使用。

另外，SD 6.0规范了全新的UHS-III总线速度可以达到624MB/s（全双工）；主要是针对满足于单反相机和一些手等设备的高速存储的需求，例如拍摄4K@120Hz这样的高速视频。UHS-I提供了104MB/s的总线速度，UHS-II的总线速度为312MB/s。LVS标准是低信号电压，针对于有特殊环境的人使用，因为全新的标准要求SD卡的电压降至1.8V；目前的SD卡普遍的电压都在3.3V左右。

为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡，SD协会公布新的体系标准，A1分类（APP Performance A1）基于Secure Digital 5.1规格定义，A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明，是为了确保用户在使用Micro SD卡运行App时，具备足够优秀效能表现。