IXTQ96N20P高端MOSFET来自IXYS

IXTQ96N20P特性：

International standard packages

l Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

l Low package inductance

- easy to drive and to protect

IXTQ96N20P规格：

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 96 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 600 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: IXTQ96N20  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: IXYS  

下降时间: 30 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

工厂包装数量: 30  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 75 ns  

典型接通延迟时间: 28 ns  

单位重量: 5.500 g

IXTQ96N20P应用：

Easy to mount

l Space savings

l High power density

IXTQ96N20P参数：

Parameter

IXTQ96N20P

VDSS, Max, (V)   200  

ID(cont), TC=25°C, (A)   96  

RDS(on), Max, TJ=25°C, (Ω)   0.0240  

Ciss, Typ, (pF)   4800  

Qg, Typ, (nC)   145  

trr, Typ, (ns)   160  

PD, (W)   600  

RthJC, Max, (oC/W)   0.25  

Package Style   TO-3P