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产品属性
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IXTK82N25实物图片:
IXTK82N25详细规格如下:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 82 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 142 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: PolarHT
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXTK82N25
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarHT Power MOSFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 30 S
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 78 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 10 g
关键特性Features:
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low RDS(ON) and QG
Low Package Inductance
产品优势:
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
相关产品:
IXTT82N25P
IXTQ82N25P
IXTK82N25P
产品说明:
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-264-3
- 55 C
+ 150 C
500 W
250 V
MOSFET
82 A